买卖IC网 >> 产品目录 >> SI6467DQ-T1-E3 MOSFET 12V 8A 1.5W datasheet RF/IF 和 RFID
型号:

SI6467DQ-T1-E3

库存数量:可订货
制造商:Vishay/Siliconix
描述:MOSFET 12V 8A 1.5W
RoHS:
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 12V 8A 1.5W
SI6467DQ-T1-E3 PDF下载
制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 P-Channel
汲极/源极击穿电压 12 V
闸/源击穿电压 +/- 8 V
漏极连续电流 8 A
电阻汲极/源极 RDS(导通) 14 mOhms
配置 Single
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 TSSOP-8
封装 Reel
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  • SI6467DQ-T1-E3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价